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新型碳化硅 SiC 晶体管问世，可在 600℃ 高温下工作_我的网站
一 | 8 月 25 日消息，科技媒体 Tom's Hardware 昨日（8 月 24 日）发布博文，报道称京都大学研究团队研发出新型碳化硅（SiC）晶体管，采用标准离子注入工艺制造，可在 600℃（873 K）下工作。
二 | 很多人都还在期待火箭签下德罗赞，但是最新消息，显示德罗赞基本不会来了。不过休赛期火箭悄悄拿下了一个很适配体系的球员，那就是奥斯卡‑希布韦。援引博文介绍，该晶体管采用商业芯片工厂普遍使用的“离子注入”（ion implantation）工艺打造，相关成果于 8 月 17 日发表在《APL Electronic Devices》。 这名球员可能很多球迷不熟悉，但他是大学和发展联盟历史上顶级的篮板怪兽。看数据就知道有多夸张，发展联盟曾经场均19个篮板，其中8.3个是进攻篮板。
三 | 研究团队选择“结型场效应晶体管”（JFET）结构，并将栅极置于沟道下方，形成底栅（bottom-gate）布局。离子注入过程中，部分掺杂原子会沿晶体通道深入目标区域之外，形成“沟道效应”尾部。
四 | 传统顶栅结构难以补偿这一影响，导致设计阈值电压与实测值相差超过 2 V。底栅结构可捕获偏离预定深度的掺杂原子，让该偏差在 400℃ 下缩小至 0.1 V 以内。
五 | 就算来到联盟后，上场时间有限，15分钟左右，也能稳定交出6个以上篮板，尤其进攻篮板是他的看家本领。 他效力过步行者、爵士，出场了49场，场均15.2分钟拿到7分6.5篮板。该科研团队为了减少高温漏电，团队还加入“双阱”（double-well）隔离结构。
六 | 出场时间不长，但篮板效率极其恐怖。 要知道，火箭这两年本来就是全联盟进攻篮板最靠前的队伍，教练组非常看重拼抢二次进攻，延长进攻回合。该结构通过 pn 结隔离单个器件，避免依赖下方半绝缘碳化硅衬底。参考广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，包含外链的文章均包含本声明。引进希布韦，就是继续放大这个优势。 但我们要客观看待这些，他不是来顶替申京的。申京是内线轴心，要策应、传球、组织进攻。希布韦的定位是蓝领内线替补，任务很纯粹：冲篮板，尤其是进攻篮板，拼二次得分，干脏活累活。 他没有细腻的持球策应，自主进攻能力有限，最大价值就是篮板活力。当申京下场休息，内线需要有人疯狂冲抢篮板的时候，希布韦就能派上用场。 不要把他当成明星补强，这是一笔功能性引援。不追求华丽的数据，就是为了强化内线篮板储备，丰富轮换深度。对于志在季后赛的火箭，这种不起眼的拼图，往往在轮换阶段能够发挥意想不到的作用。
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Published on:00:21:06
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